Görsel mevcut değil
SIGC25T60NCX1SA2
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC25T60NCX1SA2 Hakkında
SIGC25T60NCX1SA2, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT transistörüdür. NPT (Non Punch Through) tipi bu bileşen, maksimum 30A kolektör akımı ve 90A impulsif akım kapasitesine sahiptir. Die paket formatında sunulan bu IGBT, yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 30A akımda 2.5V'tur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, AC/DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve endüstriyel güç elektronik uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 21ns açılış ve 110ns kapanış sürelerine sahiptir. Parça üretimi sonlandırılmıştır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
90 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
21ns/110ns
Test Condition
300V, 30A, 8.2Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V