Görsel mevcut değil
SIGC19T60SEX1SA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V
SIGC19T60SEX1SA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC19T60SEX1SA1, 600V Trench Field Stop IGBT transistördür. Maksimum 40A sabit akım (Ic) ve 120A darbe akımı (Icm) kapasitesine sahiptir. 1.97V Vce(on) değeriyle düşük iletim kaybı sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışabilen bu üç chip IGBT, şalter modunda çalışan güç elektronik uygulamalarında, frekans konvertörleri, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. Die paket formatında sunulan bileşen, son alım durumundadır ve yüksek entegrasyon gerektiren uygulamalarda tercih edilir.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Last Time Buy
Supplier Device Package
Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.97V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V