Görsel mevcut değil
SIGC18T60UNX1SA2
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC18T60UNX1SA2 Hakkında
SIGC18T60UNX1SA2, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 600V maksimum collector-emitter breakdown voltajına ve 20A sürekli collector akımına sahip bu bileşen, yüksek hızlı anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. Die paket formunda sunulan bu transistör, 15ns açılış ve 65ns kapanış sürelerine sahiptir. Maksimum Vce(on) değeri 15V gate voltajında 20A akımda 3.15V'tur. -55°C ile 150°C arasında güvenli çalışma sağlayan bileşen, güç elektroniği, motor kontrol, şarj cihazları ve endüstriyel uygulamalarda kullanılır. Surface mount uyumlu yapısı kompakt tasarımlara olanak tanır. Bileşen Obsolete statüsündedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
60 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
15ns/65ns
Test Condition
400V, 20A, 2.2Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.15V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V