Görsel mevcut değil
SIGC18T60UNX1SA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC18T60UNX1SA1 Hakkında
SIGC18T60UNX1SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 600V diyot gerilimi ile çalışan bu bileşen, maksimum 20A sürekli kolektör akımı ve 60A darbe akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. Die paketleme formatında sunulan komponent, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama görevini üstlenir. Vce(on) değeri 15V, 20A koşullarında 3.15V'tur. -55°C ile +150°C arasında çalışan cihaz, güç dönüştürme, motor sürücüleri ve indüktif yükler için uygun bir çözümdür. Hızlı açılma (15ns) ve kapanma (65ns) zamanları ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. Bileşen üretimden kaldırıldığı için yedek parça uygulamalarında dikkate alınmalıdır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
60 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
15ns/65ns
Test Condition
400V, 20A, 2.2Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.15V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V