Görsel mevcut değil
SIGC18T60SNCX7SA2
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC18T60SNCX7SA2 Hakkında
SIGC18T60SNCX7SA2, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V NPT tipi IGBT transistördür. Die paketine sahip bu bileşen, maksimum 20A kolektör akımı ve 60A puls akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 400V çalışma koşullarında 2.5V Vce(on) değerine sahip olup, 36ns açılış ve 250ns kapanış sürelerine (Td on/off) sahiptir. -55°C ile +150°C arasında güvenli çalışma aralığına sahiptir. Surface mount montajı için uygun olan bu bileşen, anahtarlama güçlü uygulamalarında, güç dönüştürme devrelerinde ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. Yüksek voltaj ve yüksek hızlı anahtarlama gerektiren sanayi uygulamalarına uygundur. Bileşen şu anda üretimi durdurulmuş durumdadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
60 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
36ns/250ns
Test Condition
400V, 20A, 16Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V