Görsel mevcut değil
SIGC18T60SNCX7SA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC18T60SNCX7SA1 Hakkında
SIGC18T60SNCX7SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek voltaj IGBT transistörüdür. 600V breakdow voltajı ve 20A maksimum collector akımı ile tasarlanmıştır. NPT (Non-Punch Through) IGBT tipi olarak sınıflandırılır. Die paket formatında sunulan bu bileşen, 36ns açılış ve 250ns kapanış zamanına sahiptir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 20A akımda 2.5V olarak belirlenmiştir. -55°C ile 150°C arasındaki sıcaklık aralığında çalışabilir. Esas olarak güç dönüştürme devreleri, motor sürücüleri ve endüstriyel uygulamalarda kullanılır. Pulse akımı 60A'e ulaşabilir ve 400V, 20A, 16Ohm koşullarında test edilmiştir. Ürün mevcut olmaması nedeniyle (obsolete) yeni tasarımlar için alternatif bileşen seçimi önerilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
60 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
36ns/250ns
Test Condition
400V, 20A, 16Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V