Görsel mevcut değil
SIGC18T60SNCX1SA4
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC18T60SNCX1SA4 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC18T60SNCX1SA4, 600V breakdown voltajına sahip bir NPT tipi IGBT transistördür. Die format paketleme ile sunulan bu bileşen, maksimum 20A kolektör akımı ve 60A darbe akımı kapasitesiyle çalışır. 36ns açılış ve 250ns kapanış gecikmesi süreleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında çalışacak şekilde tasarlanmıştır. 15V kapı voltajında maksimum 2.5V Vce(on) değerine sahiptir. Endüstriyel anahtarlama, motor kontrol ve güç yönetimi devrelerinde kullanılan bu transistör, yüksek voltaj ve akım işleme gerektiren uygulamalara uygundur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
60 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
36ns/250ns
Test Condition
400V, 20A, 16Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V