Görsel mevcut değil
SIGC18T60SNCX1SA3
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC18T60SNCX1SA3 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC18T60SNCX1SA3, 600V çalışma voltajına sahip NPT tipi IGBT transistördür. Die paket formatında sunulan bu komponent, maksimum 20A collector akımı ve 60A pulse collector akımı kapasitesine sahiptir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında ve 20A collector akımında 2.5V ile sınırlandırılmıştır. Açılış/kapanış gecikmesi sırasıyla 36ns ve 250ns olarak belirtilmiştir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenli operasyon sağlar. Güç dönüştürme uygulamaları, motor kontrol devreleri ve indüktif yük anahtarlaması işlemlerinde kullanım için tasarlanmıştır. Üretim sonlandırılmış (obsolete) bir komponenttir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
60 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
36ns/250ns
Test Condition
400V, 20A, 16Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V