Görsel mevcut değil
SIGC18T60SNCX1SA2
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC18T60SNCX1SA2 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC18T60SNCX1SA2, 600V derecelendirilmiş NPT tipi IGBT transistördür. Die paket formatında sunulan bu komponent, maksimum 20A sürekli kolektor akımı ve 60A darbe akımı kapasitesine sahiptir. 36ns açılış ve 250ns kapanış gecikmesi ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 20A akımda 2.5V olarak belirlenmiştir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında çalışabilen bu transistör, güç dönüştürme uygulamaları, motor kontrol devreleri ve endüstriyel inverterlerde kullanılır. Surface mount teknolojisine uygun tasarımı ile yüksek entegrasyon yoğunluğu gerektiren uygulamalarda tercih edilir. Parça obsolete durumundadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
60 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
36ns/250ns
Test Condition
400V, 20A, 16Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V