Görsel mevcut değil
SIGC18T60NCX7SA2
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC18T60NCX7SA2 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC18T60NCX7SA2, 600V collector-emitter breakdown voltajı ile çalışan tek çipli NPT tipi IGBT transistördür. 20A maksimum DC collector akımı ve 60A pulse collector akımına sahip bu bileşen, yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Standart input tipi ve die paket yapısıyla, 21ns açılış ve 110ns kapanış gecikmesi sunar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar. 2.5V maksimum Vce(on) değeri ile düşük güç kaybı özellikleri taşır. Motor kontrol, güç dönüştürücü ve enerji yönetimi sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. Ürün üretimi durdurulmuştur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
60 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
21ns/110ns
Test Condition
300V, 20A, 13Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V