Görsel mevcut değil
SIGC18T60NCX7SA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC18T60NCX7SA1 Hakkında
SIGC18T60NCX7SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 600V breakdown voltajı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 20A sürekli kolektör akımı ve 60A pulslu akım kapasitesine sahiptir. 2.5V on-state voltajı (15V kapı geriliminde, 20A akımda) ile enerji verimliliği sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. Die paket formunda surface mount uygulamalarına uygun olup, endüstriyel motor kontrol, güç dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Td(on/off) değerleri 21ns/110ns olup hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
60 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
21ns/110ns
Test Condition
300V, 20A, 13Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V