Görsel mevcut değil
SIGC18T60NCX1SA6
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC18T60NCX1SA6 Hakkında
SIGC18T60NCX1SA6, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 600V diyot kırılma voltajına ve 20A sürekli kolektör akımına sahiptir. Maksimum 60A darbe akımı kapasitesi bulunmaktadır. Surface mount die paketi ile sunulan bu bileşen, düşük on/off gecikmesi (sırasıyla 21ns/110ns) ve 2.5V maksimum Vce(on) değeri ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ile +150°C arasında çalışan bileşen, endüstriyel güç kontrol, motor sürücüsü ve anahtarlama güç kaynağı devrelerine uygulanır. Not: Bu bileşen üretimi sonlandırılmıştır (obsolete).
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
60 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
21ns/110ns
Test Condition
300V, 20A, 13Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V