Görsel mevcut değil
SIGC18T60NCX1SA5
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC18T60NCX1SA5 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC18T60NCX1SA5, 600V kollektör-emiter gerilimi ile tasarlanmış NPT tipi IGBT transistördür. Die form faktörü ile sağlanan bu bileşen, maksimum 20A sürekli akım ve 60A darbe akımı kapasitesine sahiptir. 21ns açılış ve 110ns kapanış süresi ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. Vce(on) değeri 15V gate voltajında ve 20A akımda maksimum 2.5V'dur. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına toleranslı olan bu IGBT, güç dönüştürme uygulamaları, motor sürücüleri, şarj sistemleri ve indüktif yük kontrolü gibi uygulamalarda kullanılır. Surface mount paketleme ile entegre edici ürün tasarımına uygun bir çözümdür. Ürün durumu itibariyle üretimi sonlandırılmıştır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
60 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
21ns/110ns
Test Condition
300V, 20A, 13Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V