Görsel mevcut değil
SIGC18T60NCX1SA4
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC18T60NCX1SA4 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC18T60NCX1SA4, NPT tipi IGBT transistördür. 600V breakdown voltajı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılan bu bileşen, maksimum 20A collector akımına ve 60A pulse akımına sahiptir. Surface mount wafer formunda paketlenmiş olan transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışmaya elverişlidir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 20A akımda 2.5V olarak belirlenmiştir. 21ns turn-on ve 110ns turn-off gecikmesi ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. Endüstriyel sürücü devreleri, motor kontrolü ve güç elektronik uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Bileşen güncel üretimde bulunmamaktadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
60 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
21ns/110ns
Test Condition
300V, 20A, 13Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V