Görsel mevcut değil
SIGC18T60NCX1SA3
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC18T60NCX1SA3 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC18T60NCX1SA3, 600V voltaj sınıfında çalışan NPT tipi IGBT transistördür. Die paketlemesi ile sunulan bu bileşen, maksimum 20A sürekli kolektör akımı ve 60A darbe kolektör akımı kapasitesine sahiptir. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 20A akımda 2.5V olarak belirtilmiştir. Açılma ve kapanma gecikmesi sırasıyla 21ns ve 110ns'dir. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüler ve motor kontrolü gibi endüstriyel uygulamalarda kullanılır. Üretici tarafından üretim durdurulmuş (obsolete) durumdadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
60 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
21ns/110ns
Test Condition
300V, 20A, 13Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V