Görsel mevcut değil
SIGC18T60NCX1SA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC18T60NCX1SA1 Hakkında
SIGC18T60NCX1SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipinde IGBT transistördür. 600V collector-emitter açılma gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. Maksimum 20A DC collector akımı ve 60A pulsed akım kapasitesine sahiptir. Surface mount die paketi içinde sunulan bu komponent, güç dönüştürme, motor kontrol ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde yer alır. 21ns açılma ve 110ns kapanma süreleri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında kullanılabilir. 2.5V maksimum Vce(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sunar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
60 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
21ns/110ns
Test Condition
300V, 20A, 13Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V