2.000₺ ve üzeri siparişlerinizde kargo ücretsizdir.
SIGC15T60SEX7SA1 Görsel mevcut değil

Görsel mevcut değil

SIGC15T60SEX7SA1

Üretici
Infineon
Kılıf / Paket
Açıklama
IGBT 3 CHIP 600V

SIGC15T60SEX7SA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC15T60SEX7SA1, 600V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. 30A maksimum collector akımı ve 90A pulse collector akımı ile tasarlanmıştır. Die paketinde sunulan bu komponent, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 2.05V @ 15V, 30A Vce(on) değeri ile verimli enerji aktarımı sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. Güç dönüştürücüleri, motor kontrol sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.

Ürün Özellikleri

11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max) 30 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 90 A
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case Die
Part Status Last Time Buy
Supplier Device Package Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V