Görsel mevcut değil
SIGC15T60EX1SA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V 30A WAFER
SIGC15T60EX1SA1 Hakkında
SIGC15T60EX1SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V/30A yüksek voltaj IGBT transistörüdür. Trench Field Stop teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, maksimum 90A darbe akımı kapasitesine sahiptir. Die paketi olarak sunulan komponentin veri saklama süresi -40°C ile 175°C arasında çalışır. 1.9V @ 15V, 30A on-state voltajı ile düşük enerji kaybı sağlar. Endüstriyel güç dönüştürme uygulamaları, invertör devreleri, motor kontrol sistemleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi alanlarda kullanılır. Standard girdi tipi ve yüksek güvenilirlik özellikleri ile uzun vadeli uygulamalar için uygundur.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
90 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Active
Supplier Device Package
Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V