Görsel mevcut değil
SIGC156T60NR2CX7SA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC156T60NR2CX7SA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC156T60NR2CX7SA1, 600V kollektör-emiter breakdown voltajı ile tasarlanmış NPT tipi IGBT transistördür. 200A maksimum kolektör akımı ve 600A pulslu akım kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. Die paket formatında sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Maksimum Vce(on) değeri 15V gate voltajında 200A akımda 2.5V'tur. 180ns/285ns açılma/kapanma süresi ile hızlı switching işlemleri gerçekleştirir. Endüstriyel güç dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri ve yüksek voltajlı uygulamalarda tercih edilmektedir. Ürün hali hazırda üretim dışında kalmıştır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
200 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
600 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
180ns/285ns
Test Condition
300V, 200A, 1.5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 200A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V