Görsel mevcut değil
SIGC156T60NR2CX1SA4
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC156T60NR2CX1SA4 Hakkında
SIGC156T60NR2CX1SA4, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 600V breakdown voltajı ve 200A maksimum collector akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 600A pulsed akım kapasitesi ile ani yük geçişlerini tolere edebilir. Die paket formatında sunulan bu komponent, switching uygulamaları, motor sürücüleri ve güç dönüştürme devreleri gibi endüstriyel elektronik uygulamalarında yer alır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. 180ns açılış ve 285ns kapanış süresi ile hızlı switching performansı sağlar. Vce(on) değeri 2.5V (15V gate voltajında, 200A'de) olarak belirtilmiştir. Mevcut durumu Obsolete olarak işaretlenmiştir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
200 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
600 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
180ns/285ns
Test Condition
300V, 200A, 1.5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 200A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V