Görsel mevcut değil
SIGC156T60NR2CX1SA2
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC156T60NR2CX1SA2 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC156T60NR2CX1SA2, NPT tipi IGBT transistördür. 600V maksimum collector-emitter gerilimi ve 200A sürekli collector akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 600A darbe akımı kapasitesi bulunmaktadır. Die paketinde sunulan bu komponentin açma/kapama gecikmesi (Td) sırasıyla 180ns/285ns'dir. -55°C ile 150°C arası sıcaklık aralığında çalışabilir. Endüstriyel invertör, motor kontrol, güç dönüştürme ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Üretimi durdurulmuş (obsolete) durumda olan bu parça, arşiv ve bakım projeleri için stokta bulunabilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
200 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
600 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
180ns/285ns
Test Condition
300V, 200A, 1.5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 200A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V