Görsel mevcut değil
SIGC14T60SNCX7SA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC14T60SNCX7SA1 Hakkında
SIGC14T60SNCX7SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V NPT tipi IGBT transistördür. 3 çipten oluşan wafer konfigürasyonuna sahip bu bileşen, 15A maksimum kolektör akımı ve 45A darbe akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. Vce(on) değeri 15V, 15A koşullarında 2.5V olan bu IGBT, hızlı anahtarlama karakteristiği (31ns/261ns on/off gecikmesi) nedeniyle DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. Die paketlemesi ile yapılan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışır ve yüksek entegrasyonlu sistem tasarımlarına uygun bir seçimdir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
15 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
45 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
31ns/261ns
Test Condition
400V, 15A, 21Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V