Görsel mevcut değil
SIGC14T60NCX7SA2
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC14T60NCX7SA2 Hakkında
SIGC14T60NCX7SA2, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V NPT tipi IGBT transistördür. Die (çip) paketi halinde sunulan bu komponent, maksimum 15A kollektör akımı ve 45A pulsed akımı ile çalışabilir. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 15A akımda 2.5V olarak belirtilmiştir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Td(on) 21ns ve Td(off) 110ns anahtarlama süreleri ile yüksek frekanslı uygulamalarda tercih edilir. 600V breakdown voltajı ile güç elektronikleri, motor kontrol, invertör ve DC-DC dönüştürücü tasarımlarında kullanılan bir bileşendir. Ürün şu anda üretimi sonlandırılmış (obsolete) durumdadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
15 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
45 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
21ns/110ns
Test Condition
300V, 15A, 18Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V