Görsel mevcut değil
SIGC14T60NCX1SA7
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC14T60NCX1SA7 Hakkında
SIGC14T60NCX1SA7, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. NPT (Non Punch Through) teknolojisiyle tasarlanmış bu komponent, wafer die formunda sunulmaktadır. Maximum 15A collector akımı ve 45A pulsed akım kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılabilir. Maksimum 2.5V Vce(on) değeri ile sağlanan düşük iletim kaybı, anahtarlama hızı 21ns on-time ve 110ns off-time ile güvenilir komütasyon sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu IGBT, motorlar, solenoidler, güç kaynakları ve endüstriyel sürücü uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Surface mount die konfigürasyonu ile yüksek yoğunluklu entegrasyona olanak tanır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
15 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
45 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
21ns/110ns
Test Condition
300V, 15A, 18Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V