Görsel mevcut değil
SIGC14T60NCX1SA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC14T60NCX1SA1 Hakkında
SIGC14T60NCX1SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V NPT tipi IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. Maksimum 15A sürekli kollektör akımı ve 45A pulslu akım kapasitesine sahiptir. Die paketinde sunulan bu komponent, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 2.5V maksimum VCE(on) değeri ile verimli işletme sağlar. Hızlı anahtarlama özelliğine sahip olup (Td on/off: 21ns/110ns), güç dönüştürme, motor kontrol, invertör ve UPS sistemleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans gösterir. Ürün obsolete statüsündedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
15 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
45 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
21ns/110ns
Test Condition
300V, 15A, 18Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V