Görsel mevcut değil
SIGC12T60SNCX7SA2
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC12T60SNCX7SA2 Hakkında
SIGC12T60SNCX7SA2, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 600V kollektör-emitter gerilimi ve 10A maksimum kollektör akımı ile tasarlanmış olup, 30A pulse akımını destekler. Die paket formatında sunulan bu komponent, güç dönüştürme ve motor kontrol uygulamalarında kullanılan yüksek frekanslı anahtarlama devrelerine uygun bir transistördür. 29ns açılma ve 266ns kapanma gecikme sürelerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasındaki işletme sıcaklık aralığında çalışabilir. Vce(on) açık durum voltajı 15V gerilim ve 10A akım koşullarında 2.5V'tur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
30 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
29ns/266ns
Test Condition
400V, 10A, 25Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V