Görsel mevcut değil
SIGC12T60SNCX7SA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC12T60SNCX7SA1 Hakkında
SIGC12T60SNCX7SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 600V breakdown voltajı ve 10A maksimum collector akımı ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Die pakajında sunulan bu komponent, güç dönüştürücü, inverter ve motor kontrol devrelerinde anahtarlama elemanı olarak çalışır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 2.5V olup, hızlı açılma (29ns) ve kapanma (266ns) özellikleri ile dinamik performans sağlar. Yüksek frekanslı uygulamalar için uygun bir çözümdür. Lütfen datasheet'i inceleyerek uygulamanıza uygunluğunu doğrulayınız.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
30 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
29ns/266ns
Test Condition
400V, 10A, 25Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V