Görsel mevcut değil
SIGC12T60SNCX1SA4
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC12T60SNCX1SA4 Hakkında
SIGC12T60SNCX1SA4, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V NPT tipi IGBT transistördür. Tekil chip konfigürasyonunda sunulan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 10A maksimum kolektör akımı ve 30A puls akımı desteği ile, güç dönüştürücüler, motor sürücüler ve indüktif yük anahtarlama devrelerinde yer alır. 2.5V tipik açık durumda gerilim düşüşü ile enerji verimli çalışma sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. Die paket formatında Surface Mount teknolojisiyle entegre edilmiş olup, hızlı açılış/kapanış zamanları (29ns/266ns) ile dinamik uygulamalara uygun bir bileşendir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
30 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
29ns/266ns
Test Condition
400V, 10A, 25Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V