Görsel mevcut değil
SIGC12T60SNCX1SA3
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC12T60SNCX1SA3 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC12T60SNCX1SA3, 600V kollektör-emitter kırılma voltajında çalışan NPT tipi IGBT transistörüdür. 10A maksimum kollektör akımı ve 30A darbe akımı kapasitesiyle anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Die (çip) formatında sunulan bu bileşen, sürücü devreleri, güç dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama sistemlerinde voltaj ve akım kontrolü sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. 29ns açılış ve 266ns kapanış gecikmesi ile hızlı komütasyon özelliğine sahiptir. Surface mount uygulamalar için tasarlanmış olup, yüksek yoğunluklu entegrasyon gerektiren devrelere entegre edilebilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
30 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
29ns/266ns
Test Condition
400V, 10A, 25Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V