Görsel mevcut değil
SIGC12T60SNCX1SA2
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC12T60SNCX1SA2 Hakkında
SIGC12T60SNCX1SA2, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 600V breakdown voltajı ve 10A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. Die paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi sistemlerinde tercih edilir. 29ns açılış ve 266ns kapanış zamanları ile hızlı komutasyon performansı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı endüstriyel ortamlar için uygundur. 2.5V Vce(on) değeri ile enerji kaybı minimize edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
30 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
29ns/266ns
Test Condition
400V, 10A, 25Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V