Görsel mevcut değil
SIGC12T60NCX7SA2
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC12T60NCX7SA2 Hakkında
SIGC12T60NCX7SA2, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT transistördür. NPT tipi bu bileşen, maksimum 10A collector akımı ve 30A pulsed akım kapasitesi ile doğrudan entegre devrelere monte edilebilir. Die paket formatında sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamalarında, inverter devrelerde ve güç dönüştürme sistemlerinde kullanılır. 2.5V maksimum Vce(on) değeri ve 21ns/110ns açılış/kapanış zamanı ile hızlı komütasyon gerektiren endüstriyel uygulamalara uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışan bileşen, yüksek yoğunluklu devre tasarımlarında tercih edilir. Obsolete durumda olan ürün, arşiv ve onarım amaçlı uygulamalarda değerlendirilmektedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
30 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
21ns/110ns
Test Condition
300V, 10A, 27Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V