Görsel mevcut değil
SIGC12T60NCX7SA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC12T60NCX7SA1 Hakkında
SIGC12T60NCX7SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. Die paket formatında sunulan bu komponent, 600V kollektör-emitör açılma voltajı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 10A maksimum DC akımı ve 30A pulse akımı ile güç anahtarlama devrelerinde, invertörler, motor kontrol uygulamaları ve endüstriyel anahtarlama sistemlerinde yer alır. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 10A akımda 2.5V olarak belirtilmiştir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Hızlı açılma (21ns) ve kapanma (110ns) zamanları ile modern anahtarlama uygulamalarına uygun tasarlandığı ifade edilmektedir. Ürün obsolete durumdadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
30 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
21ns/110ns
Test Condition
300V, 10A, 27Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V