Görsel mevcut değil
SIGC12T60NCX1SA5
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC12T60NCX1SA5 Hakkında
SIGC12T60NCX1SA5, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V NPT (Non-Punch Through) tipi IGBT transistördür. Surface Mount wafer formunda sunulan bu bileşen, maksimum 10A sürekli ve 30A pulsed kolektor akımı ile çalışır. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 2.5V'tur. 600V collector-emitter breakdown voltajı ile endüstriyel güç elektronik uygulamalarında, motor sürücüleri, DC-DC konverterler ve koruma devrelerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığına sahip olup, 21ns açılış ve 110ns kapanış gecikmesi sağlar. Bileşen artık üretilmemektedir (Obsolete).
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
30 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
21ns/110ns
Test Condition
300V, 10A, 27Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V