Görsel mevcut değil
SIGC12T60NCX1SA4
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC12T60NCX1SA4 Hakkında
SIGC12T60NCX1SA4, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V NPT tipi tekil IGBT transistörüdür. Die paket formatında sunulan bu bileşen, maksimum 10A DC ve 30A pulsed collector akımı ile çalışabilir. 600V kolektör-emiter kırılma voltajına sahip olan transistör, -55°C ile +150°C arasında sıcaklık aralığında işletilir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında ve 10A akımda 2.5V olarak belirtilmiştir. Açılış ve kapanış gecikmesi sırasıyla 21ns ve 110ns'dir. Endüstriyel anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü ve güç dönüştürme devreleri gibi alanlarda kullanılmaya uygundur. Bileşen üretimden kaldırılmış durumdadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
30 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
21ns/110ns
Test Condition
300V, 10A, 27Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V