Görsel mevcut değil
SIGC12T60NCX1SA3
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC12T60NCX1SA3 Hakkında
SIGC12T60NCX1SA3, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 600V breakdown voltajında çalışan bu komponent, maksimum 10A collector akımı ile sürekli operasyon ve 30A pulse akımı kapasitesine sahiptir. Die paket formatında sunulan ürün, endüstriyel sürücü devreleri, invertörler ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arası geniş sıcaklık aralığında çalışabilmesi, çeşitli ortam koşullarına uygunluğunu sağlar. 21ns açılış ve 110ns kapanış süresi ile hızlı anahtarlama performansı sunar. 15V gate voltajında 10A akımda Vce(on) değeri 2.5V olarak belirtilmiştir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
30 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
21ns/110ns
Test Condition
300V, 10A, 27Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V