Görsel mevcut değil
SIGC12T60NCX1SA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC12T60NCX1SA1 Hakkında
SIGC12T60NCX1SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 600V kollektör-emitör kesintme voltajı ve maksimum 10A sürekli kollektör akımı ile tasarlanmıştır. Pulse akımı 30A'ye ulaşabilen bu komponent, anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Ön kapı voltajı 15V'de 10A akımda 2.5V'dur. Açılış ve kapanış gecikme süreleri sırasıyla 21ns ve 110ns olup, hızlı anahtarlamaya olanak sağlar. Wafer (Die) paket formunda sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç çevirme devrelerinde, motor sürücülerinde ve düşük-orta güç anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
30 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
21ns/110ns
Test Condition
300V, 10A, 27Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V