Görsel mevcut değil
SIGC121T60NR2CX7SA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC121T60NR2CX7SA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC121T60NR2CX7SA1, 600V sınıfı NPT (Non-Punch-Through) IGBT transistörüdür. 150A kolektör akımı ve 450A darbe akımı yeteneği ile orta güç uygulamalarında kullanılır. Maksimum 2.5V Vce(on) değeri ile iletim kayıpları minimuma indirgenmiştir. Turn-on ve turn-off gecikmesi sırasıyla 125ns ve 225ns olup, 300V/150A/1.5Ω test koşullarında karakterize edilmiştir. Die (çip) paket formatında sunulan bu bileşen, sürücü devreleri, endüstriyel kontrol sistemleri ve güç dönüştürme uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
150 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
450 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
125ns/225ns
Test Condition
300V, 150A, 1.5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 150A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V