Görsel mevcut değil
SIGC121T60NR2CX1SA3
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC121T60NR2CX1SA3 Hakkında
SIGC121T60NR2CX1SA3, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V NPT tipi IGBT transistördür. Surface Mount Die paketinde sunulan bu komponent, maksimum 150A sabit kollektör akımı ve 450A darbe akımı kapasitesine sahiptir. 2.5V sabit açık durum gerilimi (Vce(on)) ile düşük kayıp özelliği gösterir. Td(on/off) değerleri 125ns/225ns olarak belirtilmiş olup, hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ile +150°C arasında çalışır. Güç dönüştürme, motorlar ve inverter uygulamalarında kullanılan endüstriyel seviye bir anahtarlama elemanıdır. Ürün üretim dışı (Obsolete) durumdadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
150 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
450 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
125ns/225ns
Test Condition
300V, 150A, 1.5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 150A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V