Görsel mevcut değil
SIGC121T60NR2CX1SA2
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC121T60NR2CX1SA2 Hakkında
SIGC121T60NR2CX1SA2, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V NPT tipi IGBT transistördür. Die paketinde sunulan bu komponent, yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. Maksimum 150A sürekli kollektör akımı ve 450A impulsif akım kapasitesi ile endüstriyel anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve DC/AC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. 2.5V maksimum VCE(on) ile düşük iletim kaybı sağlar. Hızlı anahtarlama özelliği (125ns açılış, 225ns kapanış) ile enerji verimliliği artırılmıştır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
150 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
450 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
125ns/225ns
Test Condition
300V, 150A, 1.5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 150A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V