Görsel mevcut değil
SIGC11T60SNCX1SA2
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC11T60SNCX1SA2 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC11T60SNCX1SA2, NPT tipi IGBT transistördür. 600V breakdown voltajında çalışan bu komponent, maksimum 10A collector akımı ve 30A pulsed collector akımı kapasitesine sahiptir. Surface mount die paketinde sunulan ürün, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında ve 10A akımda 2.4V olup, 28ns açılış ve 198ns kapanış süresi sunmaktadır. Güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlama uygulamaları ve inverter devreleri gibi orta güç uygulamalarında tercih edilebilir. Ürün üretimi sonlandırılmıştır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
30 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
28ns/198ns
Test Condition
400V, 10A, 25Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V