Görsel mevcut değil
SIGC11T60SNCX1SA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC11T60SNCX1SA1 Hakkında
SIGC11T60SNCX1SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V NPT tipi IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 10A kolektör akımı ve 30A pulslu akım yeteneği ile DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri, endüstriyel güç elektronik devreleri ve enerji dönüşüm uygulamalarında kullanılır. Die paket formatında sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışır. 2.4V maksimum Vce(on) değeri ile enerji kayıpları minimize edilir. Hızlı anahtarlama karakteristikleri (28ns on, 198ns off) sayesinde yüksek frekanslı uygulamalara uygunluk sağlar. Bu ürün artık üretilmemektedir (Obsolete).
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
30 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
28ns/198ns
Test Condition
400V, 10A, 25Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V