Görsel mevcut değil
SIGC11T60NCX1SA2
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC11T60NCX1SA2 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC11T60NCX1SA2, 600V voltaj sınıfında çalışan NPT tipi IGBT transistörüdür. Die paket formatında sunulan bu komponent, 10A maksimum collector akımı ve 30A pulsed collector akımı kapasitesi ile uygulamalara güç kontrolü sağlar. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 10A akımda 2.5V olup, 20ns açılış ve 110ns kapanış zamanlarına sahiptir. -55°C ile +150°C arasında güvenilir çalışma sağlayan bu bileşen, anahtarlamaya dayalı güç dönüştürücüler, motor sürücüleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarında kullanılır. Düşük açılış gecikmesi ve hızlı kapanış özellikleri ile yüksek frekanslı anahtarlama devreleri için uygun tasarlanmıştır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
30 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
20ns/110ns
Test Condition
300V, 10A, 27Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V