Görsel mevcut değil
SIGC10T60EX7SA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V 20A WAFER
SIGC10T60EX7SA1 Hakkında
SIGC10T60EX7SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V 20A IGBT transistörüdür. Trench Field Stop teknolojisi kullanarak tasarlanan bu bileşen, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 60A darbe akımı kapasitesi ile güç elektronikleri devrelerinde, inverter, UPS, motor sürücü ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarına uyygundur. Die formunda sunulan komponent, -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. 1.9V (15V, 20A) Vce(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
60 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Active
Supplier Device Package
Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V