Görsel mevcut değil
SIGC10T60EX1SA5
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT CHIP
SIGC10T60EX1SA5 Hakkında
SIGC10T60EX1SA5, Infineon Technologies tarafından üretilen Surface Mount IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) çiptir. Trench Field Stop teknolojisine sahip bu bileşen, maksimum 20A sürekli collector akımı ve 60A pulsed collector akımı ile çalışabilmektedir. 600V collector-emitter breakdown voltajı sayesinde güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. Vce(on) değeri 15V gate voltajında ve 20A collector akımında 1.9V olarak belirlenmiştir. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Motorlar, invertörler, DC-DC dönüştürücüler ve elektrik beslenme sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. Die paketi formatında sunulan bu IGBT, yüksek frekanslı güç elektronik devreleri için elverişlidir.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
60 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Active
Supplier Device Package
Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V