Görsel mevcut değil
SIGC10T60EX1SA3
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V 20A WAFER
SIGC10T60EX1SA3 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC10T60EX1SA3, 600V Trench Field Stop teknolojisine dayalı bir IGBT transistördür. 20A sabit kollektör akımı ve 60A darbe akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 1.9V Vce(on) değeriyle düşük iletim kaybı sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışabilen bu bileşen, yüksek sıcaklık uygulamalarında güvenilir performans sunar. Die paket formunda sunulan bu IGBT, endüstriyel sürücü devreleri, motor kontrol uygulamaları ve güç elektronik sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
60 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Active
Supplier Device Package
Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V