Görsel mevcut değil
SIGC109T120R3LEX1SA2
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 1200V 100A DIE
SIGC109T120R3LEX1SA2 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC109T120R3LEX1SA2, 1200V/100A özelliklere sahip Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. Die paket formatında sunulan bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 2.1V maksimum Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 300A pulse collector akımı kapasitesi sayesinde anlık yük geçişlerini yönetebilir. Endüstriyel motor kontrol, güç dönüştürme, kaynak makineleri ve enerji yönetim sistemleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Surface mount montaj yöntemi ile modern PCB tasarımlarına uyumludur.
Ürün Özellikleri
9 özellik
Current - Collector Pulsed (Icm)
300 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
Die
Part Status
Active
Supplier Device Package
Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 100A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V