Görsel mevcut değil
SIGC100T65R3EX1SA2
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT CHIP
SIGC100T65R3EX1SA2 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC100T65R3EX1SA2, 650V/200A kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılan bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) çiptir. Trench Field Stop teknolojisine dayanan bu bileşen, kollektör akımında 200A sürekli ve 600A pulse kapasitesi sağlar. 1.9V Vce(on) değeri ile enerji kaybını minimize eder. -40°C ile 175°C arasında çalışabilen bu die, endüstriyel konvertörler, motor sürücüleri, kaynak cihazları ve güç yönetimi devrelerinde uygulanır. Die paketlemesi ile doğrudan yüksek yoğunluk entegrasyonuna olanak tanır.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
200 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
600 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Active
Supplier Device Package
Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 200A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V