Görsel mevcut değil
SIGC100T60R3EX7SA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V 200A WAFER
SIGC100T60R3EX7SA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC100T60R3EX7SA1, 600V/200A kapasitesinde bir Trench Field Stop IGBT transistörüdür. Die (çip) şeklinde sunulan bu komponent, yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 1.9V @ 15V, 200A koşullarında collector-emitter doyum gerilimi ile düşük enerji kaybı sağlar. Pulse akımı 600A'ye kadar çıkabilir. -40°C ile 175°C arasında çalışabilen bu IGBT, endüstriyel sürücü devreleri, güç kaynakları ve motor kontrol sistemlerinde yer bulur. Standard input tipine sahip transistör, Surface Mount teknolojisi ile entegre edilir.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
200 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
600 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Active
Supplier Device Package
Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 200A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V