Görsel mevcut değil
SIGC100T60R3EX1SA4
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V 200A WAFER
SIGC100T60R3EX1SA4 Hakkında
SIGC100T60R3EX1SA4, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V 200A kapasiteli Trench Field Stop teknolojili IGBT transistörüdür. Die paket formatında sunulan bu komponent, yüksek akım seviyelerinde çalışabilen ve 600A pulse akımını kaldırabilen bir güç anahtarlama elemanıdır. 1.9V maksimum Vce(on) değeri ile düşük iletkenim kaybına sahiptir. -40°C ile 175°C arasında güvenli çalışma sınırları sunar. Endüstriyel sürücü devreleri, motor kontrol uygulamaları, güç kaynakları ve enerji dönüştürme sistemlerinde kullanılan bu komponent, yüksek frekansta anahtarlama işlevlerinde tercih edilir.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
200 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
600 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Active
Supplier Device Package
Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 200A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V