Görsel mevcut değil
SIGC100T60R3EX1SA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V 200A WAFER
SIGC100T60R3EX1SA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC100T60R3EX1SA1, 600V ve 200A derecesinde çalışan üç çip Trench Field Stop IGBT transistörüdür. Die paket formatında sunulan bu bileşen, maksimum 600A pulsa kadar akım taşıyabilir ve 1.9V on-state voltajı (Vce) ile çalışır. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Yüksek güçlü anahtarlama uygulamalarında, endüstriyel sürücü devrelerde, renewable enerji sistemlerinde ve elektrik dönüştürücülerinde kullanılır. Standard giriş tipine sahip olup, yüzey monte teknolojisine uyumludur.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
200 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
600 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Active
Supplier Device Package
Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 200A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V